半导体桥爆发临界性实验研究
The Experiment Research on the Critical Characteristics of Semiconductor Bridge
  
DOI:
中文关键词:  半导体桥  临界爆发电流  临界爆发电压  临界电离电压
英文关键词:
基金项目:
杨贵丽  焦清介  金兆鑫  徐新春
杨贵丽,焦清介,徐新春,YANG Gui-li,JIAO Qing-jie,XU Xin-chun(北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室,北京,100081)
;金兆鑫,JIN Zhao-xin(西安电子工程研究所,陕西,西安,710100)
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中文摘要:
      对电容放电和5min恒流激励时半导体桥换能元的爆发特性进行了实验研究,测试了半导体桥作用过程中电压、电流、电阻的变化规律,通过对电阻变化特点的详细分析,发现恒流激励时半导体桥存在临界爆发电流,电容放电激励时存在爆发和产生等离子体两个临界电压.然后利用D-最优化法测试了电阻约为0.8Ω、长度为80μm、宽度为380μm、厚度为2μm、V型角为90°的半导体桥的临界爆发电流、临界爆发电压和产生等离子体的临界电离电压等数据,通过加载不同的电压,得出了爆发时间与充电电压之间的规律.
英文摘要:
      
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