叠氮化铅半导体桥点火研究
Study on the Ignition Character of Lead Azide by Semiconductor Bridge
  
DOI:
中文关键词:  半导体桥  等离子体点火  非等离子体点火  点火能量
英文关键词:
基金项目:
马鹏  朱顺官  徐大伟  张琳  张垒  陈厚和
马鹏,朱顺官,张琳,张垒,陈厚和,MA Peng,ZHU Shun-guan,ZHANG Lin,ZHANG Lei,CHEN Hou-he(南京理工大学化工学院,江苏,南京,210094)
;徐大伟,XU Da-wei(海军驻锦州军事代表室,辽宁,锦州,121000)
?
摘要点击次数: 1036
全文下载次数: 91
中文摘要:
      利用半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)作为发火元件点燃叠氮化铅(Lead Azide,LA),获得了其电压电流曲线,通过分析其电压电流曲线和烧蚀后的桥面,发现两种不同的点火机理:当LA的颗粒较大时(45μm),利用SCB产生的等离子体将药剂点燃;当LA的颗粒较小时(1μm),SCB不产生等离子体就可以将药剂点燃.非等离子体点火时,其发火电压约为等离子体点火时的20%, 降低了SCB的点火能量.此外,压药压力对非等离子体点火的最低发火电压有一定影响,80MPa时其发火电压最低.
英文摘要:
      
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
关闭