半导体桥电流电压特性理论仿真研究
Theoretic Simulation of the Dynamic Current and Voltage of Semiconductor Bridge
  
DOI:
中文关键词:  半导体桥  动态特性  电容放电  仿真
英文关键词:
基金项目:
叶家海  汪贵华  秦志春  周彬  张文超  田桂蓉  徐振相
叶家海,秦志春,周彬,张文超,田桂蓉,徐振相,YE Jia-hai,QIN Zhi-chun,ZHOU Bin,ZHANG Wen-chao,TIAN Gui-rong,XU Zhen-xiang(南京理工大学化工学院,江苏,南京,210094)
;汪贵华,WANG Gui-hua(南京理工大学电光学院,江苏,南京,210094)
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中文摘要:
      通过试验获得了充电电容对半导体桥(SCB)放电过程中SCB两端的电压以及流过SCB的电流,利用分段计算电阻值变化方法,得到了SCB的温度与电阻的关系,然后运用该关系模拟了SCB的电压--时间和电流--时间的关系曲线.该模拟方法主要从SCB电爆特性的物理意义出发,无需大量的数学束缚条件,且得到的模拟数值与试验结果基本一致.
英文摘要:
      
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